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  • 型号: FDG6332C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6332C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6332C价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6332C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 700mA,600mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6332C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6332C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

700 mA

Id-连续漏极电流

700 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6332CPowerTrench®

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产品型号

FDG6332C

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.3 W

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

300 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7 ns, 14 ns

下降时间

7 ns, 14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

113pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

300 毫欧 @ 700mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG6332CDKR

典型关闭延迟时间

9 ns, 6 ns

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2.8 S, 1.8 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

700mA,600mA

系列

FDG6332C

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDG6332C_NL

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