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详细数据请看参考数据手册

型号： FDG6322C
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDG6322C产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6322C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6322C价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6322C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 25V 220mA，410mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6322C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6322C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDG6322C是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管，具体来说是一款FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）阵列。这类组件主要用于需要高效率、低功耗和快速开关响应的电子设备中。

应用场景：

1. 电源管理：
   - FDG6322C常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关等。它能够提供高效的电力传输，同时保持较低的能耗，适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
   
2. 电机驱动：
   - 在小型电机驱动应用中，该器件可以用来控制电机的速度和方向。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少发热，提高系统可靠性，适合应用于智能家居设备、电动工具和消费类电子产品中的电机控制系统。

3. 信号切换与保护：
   - 该MOSFET阵列可用于信号路径中的切换操作，例如在多路复用器或解复用器中实现不同信号源之间的快速切换。此外，在USB接口或其他数据通信端口处，它可以作为ESD（静电放电）保护元件，防止静电损坏敏感电路。

4. LED照明：
   - 在LED驱动电路中，FDG6322C可以用于调节电流以确保LED亮度的一致性，并且可以通过PWM（脉宽调制）方式来实现亮度调节。这使得它非常适合用于背光显示、汽车内外灯及一般照明产品中。

总之，FDG6322C凭借其优良的电气性能和紧凑的封装形式，在众多便携式和消费类电子产品中有着广泛的应用前景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	220 mA, - 410 mA
Id-连续漏极电流	220 mA, - 410 mA
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6322C-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDG6322C
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.3 W
Pd-功率耗散	300 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	4 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	4 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	4.5 ns, 8 ns
下降时间	4.5 ns, 8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	9.5pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4 欧姆 @ 220mA，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SC-70-6
其它名称	FDG6322CCT
典型关闭延迟时间	4 ns, 55 ns
功率-最大值	300mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	28 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SC-70-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	0.2 S, 0.9 S
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	220mA，410mA
系列	FDG6322C
通道模式	Enhancement
配置	Complementary
零件号别名	FDG6322C_NL