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  • 型号: FDG6321C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDG6321C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6321C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6321C价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6321C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)。您可以下载FDG6321C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6321C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA, - 410 mA

Id-连续漏极电流

500 mA, - 410 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6321C-

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产品型号

FDG6321C

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.3 W

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

450 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

450 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

8.5 ns, 8 ns

下降时间

8.5 ns, 8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 500mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG6321CCT

典型关闭延迟时间

17 ns, 55 ns

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.45 S, 0.9 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA,410mA

系列

FDG6321C

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

零件号别名

FDG6321C_NL

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