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  • 型号: FDG6318PZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDG6318PZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6318PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6318PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6318PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 500mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6318PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6318PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FDG6318PZ是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,适用于多种应用场景。这款器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其在电源管理和信号切换方面表现出色。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   FDG6318PZ广泛应用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻可以减少功率损耗,提高效率,特别适合便携式设备和需要高效能的电源应用。例如,在智能手机、平板电脑和其他移动设备中,该器件可以帮助实现更长的电池续航时间。

 2. 电机控制
   在小型电机控制中,FDG6318PZ可以用于驱动直流电机或步进电机。由于其快速开关特性和低导通电阻,它可以有效降低电机驱动电路中的能量损失,提高系统的整体效率。此外,它还可以用于无刷直流电机(BLDC)的电子换向系统中。

 3. 信号切换
   该器件适用于需要高速信号切换的应用,如音频设备、视频切换器和通信设备。其快速开关速度和低电容特性使得它能够在高频信号路径中提供出色的性能,同时保持较低的噪声水平。

 4. 保护电路
   FDG6318PZ可以用作过流保护和短路保护电路中的关键元件。通过检测电流并迅速响应,它可以防止电路过载或损坏,从而提高系统的可靠性和安全性。例如,在USB端口保护、充电器保护等场景中,该器件可以起到关键作用。

 5. 消费电子
   在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手表、智能家居设备等,FDG6318PZ可以用于电源管理模块、背光驱动和触摸屏控制器等部分。它的紧凑封装和高效性能使其非常适合这些对空间和功耗要求较高的应用。

 6. 工业自动化
   在工业自动化领域,FDG6318PZ可用于传感器接口、PLC(可编程逻辑控制器)输入输出模块以及各种工业级电源管理电路。其高可靠性、低功耗和快速响应特性使其成为工业应用的理想选择。

总之,FDG6318PZ凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,成为了许多现代电子产品中不可或缺的关键组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6MOSFET Dual PCh Digital

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

500 mA

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6318PZ-

数据手册

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产品型号

FDG6318PZ

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.3 W

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

780 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

780 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

13 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

85.4pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.62nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

780 毫欧 @ 500mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG6318PZCT

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.1 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA

系列

FDG6318P

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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