【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_FDG6306P】封装/厂家_FDG6306P中文资料_价格

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型号： FDG6306P
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDG6306P产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6306P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6306P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6306P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 600mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6306P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6306P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	600 mA
Id-连续漏极电流	600 mA
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6306PPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDG6306P
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.3 W
Pd-功率耗散	300 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	420 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	420 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	14 ns
下降时间	14 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	114pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	420 毫欧 @ 600mA，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SC-70-6
其它名称	FDG6306PDKR
典型关闭延迟时间	6 ns
功率-最大值	300mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	28 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SC-70-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	1.8 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	600mA
系列	FDG6306P
通道模式	Enhancement
配置	Dual
零件号别名	FDG6306P_NL