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型号： FDG6301N_D87Z
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6301N_D87Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6301N_D87Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6301N_D87Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 25V 220mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG6301N_D87Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6301N_D87Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDG6301N_D87Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管，具体属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）阵列类别。这款器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - DC-DC转换器：FDG6301N_D87Z 适合用于降压、升压或升降压 DC-DC 转换器中的功率级开关。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高转换效率。
   - 负载开关：在需要精确控制电流路径的场合，如移动设备、消费电子等，该器件可以用作高效的负载开关，确保电源的快速响应和低静态电流消耗。

2. 电池管理系统：
   - 电池保护电路：在锂电池或其他可充电电池组中，MOSFET 阵列可以用于过流、过压和短路保护。FDG6301N_D87Z 的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。
   - 电量监测：通过精确控制电池充放电路径，该器件能够帮助实现更准确的电量监测和管理。

3. 电机驱动：
   - 小型电机控制：在家电、电动工具和自动化设备中，FDG6301N_D87Z 可以用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效且可靠的开关控制。
   - H桥电路：在需要双向控制电机的应用中，该器件可以组成 H 桥电路，实现电机的正反转和速度调节。

4. 信号切换：
   - 多路复用器/解复用器：在通信和数据传输系统中，MOSFET 阵列可以用作高速信号切换元件，确保信号的可靠传输和隔离。
   - 模拟开关：在音频、视频和其他模拟信号处理电路中，该器件可以用作高性能模拟开关，提供低噪声和高线性度的信号路径。

总之，FDG6301N_D87Z 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电源管理和信号切换场景，特别是在对效率和性能要求较高的应用中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDG6301N_D87Z
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	9.5pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4 欧姆 @ 220mA，4.5V
供应商器件封装	SC-70-6
功率-最大值	300mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	10,000
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	220mA