ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDG332PZ
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Datasheet下载- 型号： FDG332PZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG332PZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG332PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDG332PZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6。您可以下载FDG332PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG332PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG332PZ 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它是一种增强型 P 沟道器件，广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的电路中。以下是 FDG332PZ 的主要应用场景： 1. 电源管理 FDG332PZ 常用于电源管理系统中的负载开关或电源路径控制。由于其低导通电阻（Rds(on)），它可以有效地减少功率损耗，特别适合在电池供电设备中使用，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，FDG332PZ 可以作为高效的开关元件，控制电机的启动和停止。它的快速开关特性和低导通电阻有助于提高系统的效率，减少发热，延长设备的使用寿命。 3. 负载切换 FDG332PZ 可用于负载切换电路中，尤其是在需要频繁切换负载的情况下。例如，在汽车电子系统中，它可以用来控制车灯、雨刷器等设备的开启和关闭，确保这些设备在不同工作模式下的稳定运行。 4. 保护电路 FDG332PZ 还可以用于过流保护和短路保护电路中。当电流超过设定阈值时，MOSFET 可以迅速切断电流路径，防止下游电路受损。这种特性使其非常适合用于USB端口保护、充电电路保护等场景。 5. 音频设备 在音频放大器中，FDG332PZ 可以作为输出级的开关元件，帮助实现高效的音频信号传输。它的低噪声特性和快速响应能力使得它能够在不影响音质的情况下提供稳定的性能。 6. 通信设备 FDG332PZ 也适用于通信设备中的信号调理和功率管理模块。例如，在基站、路由器等设备中，它可以用于控制电源的分配和管理，确保设备在不同工作状态下的稳定运行。 总的来说，FDG332PZ 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，特别是在需要高效开关和低功耗的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6MOSFET -20V P-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG332PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG332PZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 4.8 ns |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG332PZTR |
| 典型关闭延迟时间 | 59 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
| 系列 | FDG332PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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