Datasheet下载- 型号： FDG315N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG315N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG315N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG315N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG315N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG315N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG315N 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛，适用于多种电子设备和电路设计，主要包括以下领域： 1. 电源管理： FDG315N 通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高效率，适合高电流和高频应用。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，FDG315N 可作为开关元件使用。它能够快速切换并控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关： 该器件可用作负载开关，在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中实现动态电源管理，确保在不同工作模式下高效分配电能。 4. 电池保护与管理： FDG315N 常用于锂离子电池保护电路中，防止过充、过放、短路等问题。它的低导通电阻有助于降低功耗，延长电池寿命。 5. 信号切换： 在音频设备或多路复用器中，FDG315N 可用作信号切换元件，实现不同信号源之间的快速切换，同时保持较低的信号失真。 6. 汽车电子： 该 MOSFET 也可应用于汽车电子系统中，例如车窗升降器、座椅调节器、LED 照明控制等场景，提供可靠且高效的开关功能。 7. 消费类电子产品： 包括打印机、扫描仪、家用电器等在内的消费类电子产品中，FDG315N 能够满足各种功率转换和控制需求。 综上所述，FDG315N 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多工业、消费及汽车领域应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6MOSFET SC70-6 N-CH 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG315NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG315N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.75 W |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG315NCT |
| 典型关闭延迟时间 | 7 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | FDG315N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDG315N_NL |
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