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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG312P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG312P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG312P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDG312P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG312P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG312P 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沤道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理: FDG312P 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源 (SMPS) 和负载开关。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性能够有效降低功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型电机控制中,FDG312P 可用作驱动元件,控制电机的启动、停止和速度调节。它适合低电压、小功率电机的应用场景。 3. 电池保护与管理: 该器件可用于电池组中的充放电保护电路,通过快速切换状态来防止过流、过充或过放现象,确保电池安全运行。 4. 消费类电子产品: FDG312P 常用于手机充电器、平板电脑适配器、便携式设备等消费类产品中,提供高效的开关功能和紧凑的设计支持。 5. 信号切换与隔离: 在通信设备或工业控制系统中,可以用作信号路径上的开关,实现信号的切换或隔离操作,同时保持较低的信号失真。 6. 汽车电子: 尽管 FDG312P 的工作电压和电流相对较小,但在某些非关键车载应用中(如车内照明、娱乐系统),也可以发挥其作用。 总之,FDG312P 凭借其出色的电气性能和可靠性,在需要高效能、小体积解决方案的各种电子设计中具有广泛的应用价值。选择具体应用时需结合实际需求考虑其额定参数是否满足要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6MOSFET SC70-6 P-CH -20V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG312PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDG312P |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.75 W |
Pd-功率耗散 | 750 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 |
其它名称 | FDG312P-ND |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 480mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 28 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 3.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A |
系列 | FDG312P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |
零件号别名 | FDG312P_NL |