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Datasheet下载- 型号： FDFS6N548
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS6N548由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS6N548价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS6N548封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO。您可以下载FDFS6N548参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS6N548 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS6N548 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于功率 MOSFET 类别，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是 FDFS6N548 的一些主要应用场景： 1. 电源管理 FDFS6N548 常用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少功耗，提高转换效率。适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 该器件适合用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机。MOSFET 的快速开关特性和低损耗有助于提高电机控制系统的响应速度和能效，广泛应用于消费电子产品、家电和工业自动化领域。 3. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，FDFS6N548 可用作充放电路径的控制开关。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命。适用于电动汽车、电动工具和储能系统等领域的电池管理。 4. 负载切换 该 MOSFET 也可用于负载切换电路，例如在服务器、通信设备和汽车电子中。通过快速、可靠地控制电流的通断，确保系统在不同工作模式下的稳定运行，同时保护电路免受过流或短路的影响。 5. LED 驱动 在 LED 照明应用中，FDFS6N548 可用于恒流源电路或调光控制电路。其高开关频率和低损耗特性使得 LED 照明系统更加高效、节能，并且可以实现精确的亮度调节。 6. 汽车电子 FDFS6N548 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。它可以在汽车电子系统中作为功率开关，用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）以及车载充电器等场合，确保车辆电气系统的可靠性和安全性。 总之，FDFS6N548 凭借其出色的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中发挥着重要作用，特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOICMOSFET 30V Integrated N-Ch PT MOSFET-Schtky Dio |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFS6N548PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDFS6N548 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS6N548CT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
| 系列 | FDFS6N548 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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