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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P106A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P106A价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P106A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDFS2P106A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFS2P106A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOICMOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | - 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFS2P106APowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDFS2P106A |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 8.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 714pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | FDFS2P106ADKR |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 110 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
漏极连续电流 | - 3 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | FDFS2P106A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single with Schottky Diode |
零件号别名 | FDFS2P106A_NL |