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  • 型号: FDFS2P106A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P106A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P106A价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P106A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDFS2P106A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFS2P106A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOICMOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFS2P106APowerTrench®

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产品型号

FDFS2P106A

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

8.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

714pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDFS2P106ADKR

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

900mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

110 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

- 3 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

系列

FDFS2P106A

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

零件号别名

FDFS2P106A_NL

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