【未分类_FDFME3N311ZT】封装/厂家_FDFME3N311ZT中文资料_价格

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型号： FDFME3N311ZT
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFME3N311ZT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFME3N311ZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDFME3N311ZT封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDFME3N311ZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFME3N311ZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFETMOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.6 A
Id-连续漏极电流	1.6 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFME3N311ZTPowerTrench®
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产品型号	FDFME3N311ZT
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.1 W
Pd-功率耗散	1.1 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	299 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	299 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	16 ns
下降时间	2.8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	75pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	1.4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	299 毫欧 @ 1.6A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-MicroFET（1.6x1.6）
其它名称	FDFME3N311ZT-ND FDFME3N311ZTTR
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	600mW
包装	带卷（TR）
单位重量	25.200 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 1.6x1.6 Thin
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	5,000
正向跨导-最小值	2.8 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.8A （Ta）
系列	FDFME3N311ZT
通道模式	Enhancement
配置	Single with Schottky Diode