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  • 型号: FDFMA3P029Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDFMA3P029Z产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2MOSFET PChan Sgl -30V -3.3A PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.3 A

Id-连续漏极电流

- 3.3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA3P029ZPowerTrench®

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产品型号

FDFMA3P029Z

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

Qg-GateCharge

7.2 nC

Qg-栅极电荷

7.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

87 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

87 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.9 V

上升时间

3 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

435pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

87 毫欧 @ 3.3A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MicroFET 2x2

其它名称

FDFMA3P029ZDKR

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

700mW

包装

Digi-Reel®

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fdfma3p029z-powertrench-mosfet/3618

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.3A (Ta)

系列

FDFMA3P029

配置

Single with Schottky Diode

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