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  • 型号: FDFMA3N109
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDFMA3N109产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA3N109由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA3N109价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA3N109封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 2.9A(Tc) 1.5W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDFMA3N109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFMA3N109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDFMA3N109 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDFMA3N109 的低导通电阻(Rds(on))和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,以实现高效的电压转换。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流器,提供快速的开关速度和低功耗。
   - 负载开关:用于控制电路中负载的开启和关闭,确保设备在待机时功耗最小。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于驱动风扇、泵、玩具电机等低功率直流电机,能够承受一定的电流和电压波动。
   - H 桥电路:在 H 桥电机驱动电路中,作为开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理
   - 保护电路:用于锂电池或镍氢电池的保护电路中,防止过充、过放、短路等问题。
   - 电量检测:通过精确控制电流流动,帮助监测电池的充放电状态。

 4. 信号切换
   - 信号隔离与切换:在需要高频信号切换的场景中,如音频信号、数据信号的路由选择,FDFMA3N109 可以提供稳定的性能。
   - 多路复用器:在多通道信号处理系统中,作为开关元件实现信号的选择与传输。

 5. 消费电子
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于充电管理、音频放大器供电等。
   - LED 驱动:在 LED 照明应用中,用于调节电流以实现亮度控制和调光功能。

 6. 工业控制
   - 继电器替代:在工业自动化设备中,用作固态继电器,替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。
   - 传感器接口:用于驱动或控制各种传感器模块,如温度传感器、压力传感器等。

 总结
FDFMA3N109 的主要优势在于其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合应用于需要高效功率转换和精密控制的场景。它广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.9 A

Id-连续漏极电流

2.9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA3N109PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDFMA3N109

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

1500 mW

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

123 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

123 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

220pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

123 毫欧 @ 2.9A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MicroFET(2x2)

其它名称

FDFMA3N109FSTR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109TR-ND

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

650mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

60 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A (Tc)

系列

FDFMA3N109

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

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