ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDFMA3N109
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDFMA3N109产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA3N109由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA3N109价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA3N109封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 2.9A(Tc) 1.5W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDFMA3N109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFMA3N109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMA3N109 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDFMA3N109 的低导通电阻(Rds(on))和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,以实现高效的电压转换。 - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流器,提供快速的开关速度和低功耗。 - 负载开关:用于控制电路中负载的开启和关闭,确保设备在待机时功耗最小。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动风扇、泵、玩具电机等低功率直流电机,能够承受一定的电流和电压波动。 - H 桥电路:在 H 桥电机驱动电路中,作为开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理 - 保护电路:用于锂电池或镍氢电池的保护电路中,防止过充、过放、短路等问题。 - 电量检测:通过精确控制电流流动,帮助监测电池的充放电状态。 4. 信号切换 - 信号隔离与切换:在需要高频信号切换的场景中,如音频信号、数据信号的路由选择,FDFMA3N109 可以提供稳定的性能。 - 多路复用器:在多通道信号处理系统中,作为开关元件实现信号的选择与传输。 5. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于充电管理、音频放大器供电等。 - LED 驱动:在 LED 照明应用中,用于调节电流以实现亮度控制和调光功能。 6. 工业控制 - 继电器替代:在工业自动化设备中,用作固态继电器,替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 传感器接口:用于驱动或控制各种传感器模块,如温度传感器、压力传感器等。 总结 FDFMA3N109 的主要优势在于其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合应用于需要高效功率转换和精密控制的场景。它广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.9 A |
Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA3N109PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDFMA3N109 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 123 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 123 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 123 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
其它名称 | FDFMA3N109FSTR |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 650mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A (Tc) |
系列 | FDFMA3N109 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single with Schottky Diode |