【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDFMA2P853】封装/厂家_FDFMA2P853中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDFMA2P853

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FDFMA2P853
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDFMA2P853产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2P853由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2P853价格参考￥7.51-￥7.51。Fairchild SemiconductorFDFMA2P853封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）。您可以下载FDFMA2P853参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMA2P853 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	3 A
Id-连续漏极电流	3 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA2P853PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDFMA2P853
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.4 W
Pd-功率耗散	1.4 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	120 mOhms at 4.5 V
RdsOn-漏源导通电阻	120 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	11 ns
下降时间	11 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	435pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	6nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	120 毫欧 @ 3A，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-MicroFET（2x2）
其它名称	FDFMA2P853DKR FDFMA2P853DKR-ND FDFMA2P853FSDKR
典型关闭延迟时间	15 ns
功率-最大值	700mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	40 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/箱体	MicroFET-6 2x2
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3A （Ta）
系列	FDFMA2P853
通道模式	Enhancement
配置	Single with Schottky Diode