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  • 型号: FDFM2N111
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDFM2N111产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDFM2N111由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFM2N111价格参考。Fairchild SemiconductorFDFM2N111封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1.7W(Ta) MicroFET 3x3mm。您可以下载FDFM2N111参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDFM2N111 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLPMOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFM2N111PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDFM2N111

Pd-PowerDissipation

1700 mW

Pd-功率耗散

1.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

273pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 4A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MicroFET 3x3mm

其它名称

FDFM2N111CT

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

800mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

9 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-MLP,Power33

封装/箱体

MLP-6 EP

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Ta)

系列

FDFM2N111

通道模式

Enhancement

配置

Dual with Schottky Diode

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