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型号： FDD8N50NZTM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8N50NZTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8N50NZTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8N50NZTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 500V 6.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK。您可以下载FDD8N50NZTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8N50NZTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD8N50NZTM 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款 MOSFET 主要用于需要高效开关和功率管理的应用场景，尤其适合高电压、中低电流的工作环境。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理系统
FDD8N50NZTM 广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。它能够在高频开关条件下保持较低的导通电阻（Rds(on)），从而提高效率并减少发热。该器件的最大漏源极电压（Vds）为 500V，能够承受较高的电压波动，适用于工业级电源设备。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中，FDD8N50NZTM 可以作为功率开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使得它可以有效地减少能量损失，延长电池寿命，并提高系统的整体性能。

 3. 太阳能逆变器
太阳能逆变器是将直流电转换为交流电的关键设备。FDD8N50NZTM 的高耐压特性和低导通电阻使其成为逆变器中的理想选择，尤其是在需要处理较高电压和较大电流的情况下。它可以确保逆变器在恶劣环境下稳定工作，同时提高转换效率。

 4. 电磁兼容性（EMC）设计
由于 FDD8N50NZTM 具有良好的开关特性和低噪声特性，它可以在 EMC 设计中发挥作用，帮助减少电磁干扰（EMI），特别是在高频开关应用中。这有助于简化电路设计，降低对外部滤波器的需求。

 5. 家电和消费电子产品
在家电和消费电子产品中，FDD8N50NZTM 可用于风扇、水泵、空调等设备的电源管理和电机控制。它的紧凑封装和高效性能使得它非常适合小型化、便携式设备的设计需求。

 6. 汽车电子
在汽车电子领域，FDD8N50NZTM 可用于车载充电器、LED 照明系统、电动助力转向系统（EPS）等。其高可靠性和耐高温特性使其能够在严苛的汽车环境中长期稳定工作。

总之，FDD8N50NZTM 凭借其出色的电气特性、宽广的工作电压范围以及高效的开关性能，广泛应用于多个领域的电力电子设备中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDD8N50NZTM
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	UniFET-II™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	735pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	850 毫欧 @ 3.25A，10V
供应商器件封装	DPAK
其它名称	FDD8N50NZTMCT
功率-最大值	90W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.5A （Tc）