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Datasheet下载- 型号： FDD8880
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8880由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8880价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8880封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA。您可以下载FDD8880参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8880 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8880 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它在多种电力电子应用中表现出色，尤其适用于需要高效开关和低导通电阻的场合。以下是 FDD8880 的主要应用场景： 1. 电源管理 FDD8880 广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它能够在高电流条件下保持较低的功耗，从而提高电源转换效率。此外，它还适合用于电池充电电路，帮助实现快速充电和高效的能量传输。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，FDD8880 可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流波动，并且具有较快的开关速度，确保电机运行时的稳定性和响应速度。特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，FDD8880 能够提供可靠的开关性能。 3. 负载切换 FDD8880 常用于负载切换电路中，尤其是在需要频繁开启和关闭负载的应用场景下。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、风扇、电动座椅等设备的电源供应。由于其低导通电阻和快速开关特性，FDD8880 可以有效地减少开关损耗，延长系统的使用寿命。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，FDD8880 可以用于各种控制电路和执行器驱动。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，它可以作为输出驱动元件，用于控制电磁阀、继电器等设备。此外，FDD8880 还可以用于工业机器人中的关节驱动，确保精确的动作控制。 5. 消费电子 FDD8880 也广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块。它能够为这些设备提供稳定的电源供应，同时保持低功耗，延长电池续航时间。此外，它还可以用于音频放大器、LED 驱动等应用中，提供高效能的开关控制。 总的来说，FDD8880 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为许多电力电子应用中的理想选择，特别适合那些对效率和性能有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAKMOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 A |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8880PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD8880 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 91 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 35A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FDD8880-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta）， 58A （Tc） |
| 系列 | FDD8880 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD8880_NL |
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