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FDD8874产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8874由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8874价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8874封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA。您可以下载FDD8874参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD8874 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8874是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:FDD8874常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它能够高效地进行电流切换,减少能量损耗,提高电源转换效率。例如,在笔记本电脑、手机充电器和服务器电源中,FDD8874可以作为功率级开关元件,确保稳定的电压输出。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器(如吸尘器、电风扇)、汽车电子(如电动车窗、座椅调节)等领域,FDD8874可用于驱动直流电机或步进电机。通过快速响应和低导通电阻特性,它可以实现高效的电机控制,降低能耗并延长电池寿命。 3. 负载开关:FDD8874也可用作负载开关,保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够在几纳秒内迅速关断,防止损坏下游组件,并且具备较低的导通电阻,减少了发热问题。 4. 电池管理系统:在便携式设备、电动汽车以及储能系统中,FDD8874可用于电池充放电保护电路,确保电池工作在安全范围内。它可以精确控制电流流动,防止过度充电或放电,从而延长电池使用寿命。 5. 通信设备:在网络路由器、交换机及基站等通信基础设施中,FDD8874可作为信号调理和功率放大器的前端开关,提供稳定可靠的性能表现,同时支持高频操作需求。 总之,FDD8874凭借其优良的电气特性和可靠性,成为众多工业、消费类电子产品中的关键组件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 116A D-PAKMOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 116 A |
Id-连续漏极电流 | 116 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8874PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD8874 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 96 ns |
下降时间 | 37 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2990pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.1 毫欧 @ 35A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FDD8874DKR |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
功率-最大值 | 110W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta), 116A (Tc) |
系列 | FDD8874 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDD8874_NL |