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  • 型号: FDD8796
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8796由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8796价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8796封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD8796参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD8796 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 35A DPAKMOSFET LOW VOLTAGE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8796PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD8796

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

88 W

Pd-功率耗散

88 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

24 ns

下降时间

57 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2610pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.7 毫欧 @ 35A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FDD8796DKR

典型关闭延迟时间

99 ns

功率-最大值

88W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

FDD8796

通道模式

Enhancement

配置

Single

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