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FDD86250产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86250由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86250价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86250封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 8A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),132W(Tc) D-PAK(TO-252)。您可以下载FDD86250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD86250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD86250是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道器件。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换和电机控制应用。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FDD86250常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等设备中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。 - 在笔记本电脑适配器、服务器电源模块、通信电源等应用中,FDD86250可以实现高效的能量转换,降低发热,延长设备使用寿命。 2. 电机驱动: - 该MOSFET适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路。其快速开关特性和低损耗特性使得它在电机控制中表现出色,特别是在需要频繁启停或调速的应用场景中。 - 在电动工具、家用电器(如洗衣机、空调)的电机控制系统中,FDD86250能够提供稳定的电流控制,确保电机运行平稳。 3. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,FDD86250可用于电池充放电保护、负载切换等功能。其低导通电阻有助于减少电池内部损耗,提高整体能效。 4. 逆变器与变频器: - FDD86250广泛应用于光伏逆变器、工业变频器等领域。它能够在高频条件下保持较低的开关损耗,适合用于将直流电转换为交流电的过程,确保电力传输的高效性和稳定性。 5. 消费电子产品: - 在智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等消费类电子产品中,FDD86250可用于电源管理芯片(PMIC)中的负载开关、充电管理等环节,帮助优化功耗,延长电池续航时间。 总之,FDD86250凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多功率管理和电机控制应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 8A DPAKMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86250PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD86250 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 132 W |
Pd-功率耗散 | 132 W |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2110pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
其它名称 | FDD86250CT |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 28 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta), 50A (Tc) |
系列 | FDD86250 |