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  • 型号: FDD86250
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD86250产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86250由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86250价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86250封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 8A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),132W(Tc) D-PAK(TO-252)。您可以下载FDD86250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD86250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD86250是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道器件。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换和电机控制应用。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - FDD86250常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)等设备中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 在笔记本电脑适配器、服务器电源模块、通信电源等应用中,FDD86250可以实现高效的能量转换,降低发热,延长设备使用寿命。

2. 电机驱动:
   - 该MOSFET适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路。其快速开关特性和低损耗特性使得它在电机控制中表现出色,特别是在需要频繁启停或调速的应用场景中。
   - 在电动工具、家用电器(如洗衣机、空调)的电机控制系统中,FDD86250能够提供稳定的电流控制,确保电机运行平稳。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,FDD86250可用于电池充放电保护、负载切换等功能。其低导通电阻有助于减少电池内部损耗,提高整体能效。

4. 逆变器与变频器:
   - FDD86250广泛应用于光伏逆变器、工业变频器等领域。它能够在高频条件下保持较低的开关损耗,适合用于将直流电转换为交流电的过程,确保电力传输的高效性和稳定性。

5. 消费电子产品:
   - 在智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等消费类电子产品中,FDD86250可用于电源管理芯片(PMIC)中的负载开关、充电管理等环节,帮助优化功耗,延长电池续航时间。

总之,FDD86250凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多功率管理和电机控制应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 8A DPAKMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86250PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD86250

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

132 W

Pd-功率耗散

132 W

Qg-栅极电荷

23 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

31 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2110pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

FDD86250CT

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

28 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Ta), 50A (Tc)

系列

FDD86250

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