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  • 型号: FDD86102LZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD86102LZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86102LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86102LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86102LZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)。您可以下载FDD86102LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD86102LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 8A DPAKMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

42 A

Id-连续漏极电流

42 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86102LZPowerTrench®

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产品型号

FDD86102LZ

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

54 W

Pd-功率耗散

54 W

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

31 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1540pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22.5 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

FDD86102LZFSCT

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

31 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Ta), 35A (Tc)

系列

FDD86102

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