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FDD8424H_F085A产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAKMOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8424H_F085APowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD8424H_F085A |
Pd-PowerDissipation | 30 W |
Pd-功率耗散 | 30 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-4L |
其它名称 | FDD8424H_F085ACT |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
封装/箱体 | DPAK-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A,6.5A |
系列 | FDD8424H |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |