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  • 型号: FDD8424H
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8424H由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8424H价格参考¥3.67-¥3.67。Fairchild SemiconductorFDD8424H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD8424H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD8424H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4LMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8424HPowerTrench®

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产品型号

FDD8424H

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns, 3 ns

下降时间

6 ns, 3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 9A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-4L

其它名称

FDD8424HCT

典型关闭延迟时间

17 ns, 20 ns

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

29 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A,6.5A

系列

FDD8424H

通道模式

Enhancement

配置

Dual Common Drain

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