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  • 型号: FDD770N15A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD770N15A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD770N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD770N15A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD770N15A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 56.8W(Tc) D-Pak。您可以下载FDD770N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD770N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD770N15A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDD770N15A 的高击穿电压(150V)使其适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。
   - DC-DC 转换器:可用于高效能 DC-DC 转换电路,提供低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.38Ω),从而减少功率损耗。
   - 负载开关:在需要快速切换负载的场景中,该器件能够实现高效的电流控制。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于驱动步进电机、直流无刷电机(BLDC)或其他低功率电机,提供精确的电流和电压控制。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正转和反转功能。

 3. 工业自动化
   - 继电器替代:在工业控制系统中,可以用作固态继电器,取代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。
   - 传感器接口:用于驱动工业传感器或信号放大,确保稳定的工作性能。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的应用。
   - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯条或尾灯的驱动电路,提供稳定的电流输出。

 5. 消费电子产品
   - 电池管理系统 (BMS):用于保护锂电池或其他可充电电池组,防止过流、短路或过充。
   - 音频设备:在音响或扬声器系统中用作功率放大器的开关元件。

 6. 通信设备
   - 信号调制与解调:在通信模块中,用于高频信号的处理和放大。
   - 网络设备电源:为路由器、交换机等网络设备提供稳定的电源管理方案。

 总结
FDD770N15A 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。其低导通电阻和高击穿电压特性,使其成为许多电子设计中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 150V 18A DPAKMOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD770N15APowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD770N15A

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

56.8 W

Pd-功率耗散

56.8 W

Qg-GateCharge

8.4 nC

Qg-栅极电荷

8.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

61 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

61 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V to 4 V

上升时间

3.1 ns

下降时间

2.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

765pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

77 毫欧 @ 12A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FDD770N15ADKR

典型关闭延迟时间

15.8 ns

功率-最大值

56.8W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

61 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

20 S

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

18 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

系列

FDD770N

配置

Single

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