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  • 型号: FDD6N50TM_WS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDD6N50TM_WS产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N50TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FDD6N50TM_WS价格参考¥3.16-¥3.57以及Fairchild SemiconductorFDD6N50TM_WS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FDD6N50TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FDD6N50TM_WS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 6A DPAKMOSFET 500V 6A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6N50TM_WSUniFET™

数据手册

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产品型号

FDD6N50TM_WS

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

760 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

760 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

55 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

900 毫欧 @ 3A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FDD6N50TM_WSDKR

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

89W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

FDD6N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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