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Datasheet下载- 型号： FDD6N50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N50TF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 6A（Tc） 89W（Tc） D-Pak。您可以下载FDD6N50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6N50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N50TF 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） FDD6N50TF 的高电压耐受能力（500V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为主开关管，用于升压、降压或反激式拓扑结构中。 2. 电机驱动与控制 该 MOSFET 可用于中小功率电机的驱动电路中，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机。它能够高效地切换电流方向和调节电机速度。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，FDD6N50TF 可以用作开关元件，将直流电转换为交流电。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.8Ω）有助于减少能量损耗。 4. 负载开关 由于其出色的开关性能和低导通电阻，这款 MOSFET 适合用作负载开关，控制不同负载设备的供电状态。这在消费电子、工业自动化和汽车电子中非常常见。 5. 继电器替代方案 在需要快速切换的应用中，FDD6N50TF 可以替代传统的机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的可靠性，同时降低功耗。 6. 过流保护与电子保险丝 利用其精确的导通特性和快速响应时间，FDD6N50TF 可以设计到过流保护电路中，充当电子保险丝的角色，保护下游电路免受过大电流的影响。 7. 汽车电子 在汽车环境中，这款 MOSFET 可用于启动系统、照明控制、电动座椅调节以及雨刷控制系统等场景，满足车载电气设备对可靠性和效率的要求。 总结来说，FDD6N50TF 凭借其高电压耐受性、低导通电阻和良好的开关特性，广泛应用于电力电子领域的各种开关和控制功能中。这些特点使其成为工业、消费类和汽车市场的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6N50TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6N50TFDKR |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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