【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDD6N25TM】封装/厂家_FDD6N25TM中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： FDD6N25TM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDD6N25TM产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6N25TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak。您可以下载FDD6N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAKMOSFET 250V N-CH MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.4 A
Id-连续漏极电流	4.4 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6N25TMUniFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDD6N25TM
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	50 W
Pd-功率耗散	50 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	900 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	900 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	25 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	6nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	FDD6N25TMTR
典型关闭延迟时间	7 ns
功率-最大值	50W
包装	带卷（TR）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	5.5 S
漏源极电压(Vdss)	250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.4A （Tc）
系列	FDD6N25
通道模式	Enhancement
配置	Single