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  • 型号: FDD6780A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD6780A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6780A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FDD6780A价格参考以及Fairchild SemiconductorFDD6780A封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FDD6780A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FDD6780A详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAKMOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16.4 A

Id-连续漏极电流

16.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6780APowerTrench®

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产品型号

FDD6780A

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1235pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.6 毫欧 @ 16.4A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FDD6780ACT

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

3.7W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16.4A (Ta), 30A (Tc)

系列

FDD6780

通道模式

Enhancement

配置

Single

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