【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDD5614P】封装/厂家_FDD5614P中文资料_价格

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型号： FDD5614P
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDD5614P产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5614P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5614P价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5614P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 60V 15A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252。您可以下载FDD5614P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5614P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 60V 15A DPAKMOSFET 60V P-Ch PowerTrench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	15 A
Id-连续漏极电流	15 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD5614PPowerTrench®
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产品型号	FDD5614P
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	42 W
Pd-功率耗散	42 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	76 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	76 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 60 V
Vds-漏源极击穿电压	- 60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	10 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	759pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	24nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 4.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252
其它名称	FDD5614PTR
典型关闭延迟时间	19 ns
功率-最大值	1.6W
包装	带卷（TR）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	8 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15A （Ta）
系列	FDD5614P
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDD5614P_NL