ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDD390N15ALZ
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDD390N15ALZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD390N15ALZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD390N15ALZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDD390N15ALZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 26A(Tc) 63W(Tc) DPAK。您可以下载FDD390N15ALZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD390N15ALZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 26 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD390N15ALZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD390N15ALZ |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 63 W |
Pd-功率耗散 | 63 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 33.4 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1760pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 26A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FDD390N15ALZDKR |
功率-最大值 | 63W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 33.4 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | D-PAK |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 26 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A (Tc) |
系列 | FDD390N15A |