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Datasheet下载- 型号： FDD18N20LZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD18N20LZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD18N20LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDD18N20LZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 89W（Tc） D-Pak。您可以下载FDD18N20LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD18N20LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD18N20LZ是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体属于增强型N沟道MOSFET。其应用场景非常广泛，主要集中在需要高效开关和功率管理的电路中。 1. 电源管理 FDD18N20LZ常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，可以在高电流应用中减少功耗，提高效率。该器件的最大漏源电压Vds为200V，适合高压环境下的电源设计，如工业电源、汽车电子中的电源模块等。 2. 电机驱动 在电机驱动领域，FDD18N20LZ可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，该MOSFET能够快速响应，提供稳定的电流输出，确保电机运行平稳且高效。 3. 逆变器与太阳能系统 在光伏逆变器和太阳能系统中，FDD18N20LZ可以用于逆变器的开关部分，将直流电转换为交流电。其高耐压特性和低损耗特性使得它能够在这些应用场景中保持较高的转换效率，同时减少发热，延长系统的使用寿命。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，FDD18N20LZ可以用于电池充放电的控制，防止过充、过放以及短路等问题。通过精确控制电流的通断，它可以保护电池组的安全，确保电池的稳定工作。 5. 工业自动化 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，FDD18N20LZ可以作为信号隔离和功率放大的关键元件。它的快速开关速度和高可靠性使得它能够在复杂的工业环境中稳定工作。 6. 消费电子产品 在一些消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等，FDD18N20LZ也广泛应用。它可以帮助实现更小体积、更高效率的电源解决方案，满足现代电子产品的便携性和高性能需求。 总之，FDD18N20LZ凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和功率管理的应用场景，尤其在电源管理和电机驱动等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V DPAK-3MOSFET 200V NChannel UniFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD18N20LZUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD18N20LZ |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD18N20LZ-ND |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | FDD18N20LZ |
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