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FDD1600N10ALZD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD1600N10ALZD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD1600N10ALZD价格参考。Fairchild SemiconductorFDD1600N10ALZD封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252-5。您可以下载FDD1600N10ALZD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD1600N10ALZD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5LMOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD1600N10ALZDPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD1600N10ALZD |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 14.9 W |
Pd-功率耗散 | 14.9 W |
Qg-GateCharge | 2.71 nC |
Qg-栅极电荷 | 2.71 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 2 ns |
下降时间 | 2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.61nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 3.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252 |
其它名称 | FDD1600N10ALZDCT |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 14.9W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
封装/箱体 | DPAK-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 19.6 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Tc) |
系列 | FDD1600 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |