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  • 型号: FDD120AN15A0
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD120AN15A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD120AN15A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD120AN15A0封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDD120AN15A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD120AN15A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 14A DPAKMOSFET 150V 14a 0.120 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD120AN15A0PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD120AN15A0

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

65 W

Pd-功率耗散

65 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

120 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

120 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

16 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252AA

其它名称

FDD120AN15A0CT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

65W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A (Ta), 14A (Tc)

系列

FDD120AN15A0

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDD120AN15A0_NL

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