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FDC658P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC658P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC658P价格参考¥2.74-¥2.74。Fairchild SemiconductorFDC658P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6。您可以下载FDC658P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC658P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC658P 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)制造的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度的特点,适用于多种电力电子应用。 应用场景 1. 电源管理: FDC658P 常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电源管理系统中。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗,提高效率。特别是在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源适配器中,该器件能够提供高效的电压调节。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。它能够承受较高的电流,并且具备快速的开关特性,适合用于电机控制中的 PWM(脉宽调制)信号驱动。 3. 电池管理: 在电池管理系统(BMS)中,FDC658P 可用于电池充放电保护电路。它能够在过流、短路等异常情况下迅速切断电流路径,保护电池和相关电路免受损坏。 4. 消费电子产品: 该器件广泛应用于各种消费电子产品,如智能家电、音响设备、LED 照明系统等。其紧凑的封装形式(SOT-23)使得它非常适合用于空间受限的设计中。 5. 工业自动化: 在工业自动化领域,FDC658P 可用于传感器接口、继电器驱动、信号调理等电路中。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 6. 通信设备: 在通信基站、路由器、交换机等设备中,FDC658P 可用于电源模块和信号处理电路中,确保设备的高效运行和可靠性。 总结 FDC658P 凭借其低导通电阻、快速开关速度和紧凑的封装形式,成为众多电力电子应用的理想选择。无论是消费电子、工业自动化还是通信设备,它都能提供高效、可靠的性能,满足不同应用场景的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
Id-连续漏极电流 | - 4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC658PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC658P |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC658PDKR |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 9 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |
系列 | FDC658 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |
零件号别名 | FDC658P_NL |