【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDC645N_F095】封装/厂家_FDC645N_F095中文资料_价格

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型号： FDC645N_F095
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC645N_F095由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC645N_F095价格参考。Fairchild SemiconductorFDC645N_F095封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC645N_F095参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC645N_F095 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC645N_F095 是一款由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单个MOSFET晶体管，具体型号为FDC645N。该器件属于增强型N沟道MOSFET，广泛应用于多种电力电子应用中。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - 开关电源（SMPS）：FDC645N_F095 适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。
   - 电池充电电路：在便携式设备的电池充电电路中，该MOSFET可以用作充电路径控制开关，确保电流在安全范围内流动，并在必要时切断电源。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：FDC645N_F095 可用于BLDC电机的逆变器桥臂中，作为功率级开关元件。其低导通损耗有助于提高电机驱动系统的整体效率，减少发热。
   - 步进电机驱动：在步进电机驱动电路中，该MOSFET可以用于控制电机绕组的电流流向，实现精确的位置控制和速度调节。

3. 负载切换与保护：
   - 负载开关：在消费电子、工业控制系统和其他需要动态控制负载通断的应用中，FDC645N_F095 可以用作高效的负载开关。它能够在短时间内快速响应，确保系统稳定运行。
   - 过流保护：通过监测MOSFET的漏极电流，可以在检测到异常大电流时迅速关断电路，防止损坏下游设备。

4. 汽车电子：
   - 车身控制模块（BCM）：在汽车电子系统中，FDC645N_F095 可用于BCM中的各种负载控制，如车灯、雨刷、电动座椅等的电源管理。
   - 电动助力转向（EPS）：该MOSFET可用于EPS系统的电机驱动部分，提供高效且可靠的功率输出。

总之，FDC645N_F095 凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、负载切换与保护以及汽车电子等多个领域有着广泛的应用前景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDC645N_F095
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1460pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	21nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	26 毫欧 @ 6.2A，10V
供应商器件封装	6-SSOT
功率-最大值	800mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.5A （Ta）