【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDC640P_F095】封装/厂家_FDC640P_F095中文资料_价格

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型号： FDC640P_F095
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC640P_F095由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC640P_F095价格参考。Fairchild SemiconductorFDC640P_F095封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC640P_F095参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC640P_F095 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC640P_F095是一种增强型N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和高开关速度的特点。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

 1. 电源管理
   FDC640P_F095广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器等。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以在高电流条件下减少功率损耗，提高电源效率。它适用于需要高效能和低热耗的应用场景。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中，FDC640P_F095可以用于控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长器件寿命。常见的应用包括步进电机、直流无刷电机（BLDC）和伺服电机等。

 3. 负载开关
   FDC640P_F095可以用作负载开关，控制电路中的电流流动。它能够快速响应负载变化，确保系统在不同工作状态下的稳定性和安全性。例如，在便携式设备中，它可以用于管理电池与负载之间的连接，以实现高效的电源管理。

 4. 逆变器和UPS
   在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，FDC640P_F095可以用于逆变电路中的开关元件。它的高耐压能力和快速开关特性使其适合在高频开关环境中使用，能够有效提升系统的可靠性和效率。

 5. 汽车电子
   FDC640P_F095也适用于汽车电子领域，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统、LED照明等。它能够在严苛的工作环境下保持稳定性能，并且具有良好的抗干扰能力，确保车辆电子系统的安全性和可靠性。

 6. 消费电子产品
   在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，FDC640P_F095可以用于充电电路、电源管理模块等。它的紧凑封装和高效性能使得它成为小型化设计的理想选择。

总之，FDC640P_F095凭借其低导通电阻、高开关速度和高耐压能力，适用于多种电力电子应用，尤其在需要高效能和低功耗的场合表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDC640P_F095
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	890pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	13nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
供应商器件封装	6-SSOT
功率-最大值	800mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Ta）