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Datasheet下载- 型号： FDC640P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC640P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC640P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC640P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC640P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC640P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC640P 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在需要高效能和快速响应的场景下。以下是 FDC640P 的一些典型应用场景： 1. 电源管理：FDC640P 常用于 DC-DC 转换器、开关电源和线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率，适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备的充电电路。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，FDC640P 可以作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性能够实现高效的 PWM（脉宽调制）控制，适用于无人机、电动工具和家用电器等领域。 3. 电池管理系统（BMS）：FDC640P 也可用于电池保护电路中，通过精确控制电流路径来防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命，适用于电动汽车、储能系统和便携式设备的电池管理。 4. 负载开关：在需要频繁切换负载的电路中，FDC640P 可以用作负载开关，实现对不同负载的快速通断控制。例如，在 USB 接口供电、传感器模块和通信设备中，它能够有效隔离或连接不同的电路部分，确保系统的稳定性和安全性。 5. 信号放大与处理：尽管主要用于功率应用，FDC640P 还可以在某些信号处理电路中发挥作用，如音频放大器和射频前端模块。其高输入阻抗和低噪声特性有助于提高信号质量，适用于消费电子和通信设备。 总之，FDC640P 凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用中的关键元件，特别适合于需要高效能、快速响应和低功耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC640PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC640P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 53 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC640P-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | FDC640P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC640P_NL |
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