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FDC6401N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6401N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6401N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6401N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6401N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6401N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6401N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力等特点。它广泛应用于各种电源管理和电机驱动领域,尤其是在需要高效能和紧凑设计的场合。以下是 FDC6401N 的一些典型应用场景: 1. 电源管理 FDC6401N 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,能够快速切换电压和电流,确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中,FDC6401N 可以作为功率级的一部分,控制电机的正向和反向旋转。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频驱动应用,能够在保证性能的同时降低发热。 3. 负载开关 FDC6401N 还可用于负载开关,特别是在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中。通过控制 MOSFET 的导通和关断状态,可以实现对不同负载的供电管理,延长电池寿命并提高系统的可靠性。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护和过温保护电路中,FDC6401N 可以作为一个关键组件。当检测到异常情况时,MOSFET 可以迅速切断电流路径,防止系统损坏。其内置的体二极管也有助于在反向电压情况下提供额外的保护。 5. 音频放大器 在某些高性能音频放大器中,FDC6401N 可用于输出级,提供大电流驱动能力,确保音频信号的高质量传输。其低噪声特性和快速响应时间有助于提升音质表现。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,FDC6401N 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、LED 照明等应用。其耐高温和抗电磁干扰的能力使其适合复杂的汽车环境。 总之,FDC6401N 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域都有广泛的应用前景,特别适用于对效率、体积和成本有较高要求的产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6401NPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC6401N |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
Pd-功率耗散 | 960 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 324pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC6401N-ND |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 10 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A |
系列 | FDC6401N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | FDC6401N_NL |