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FDC6401N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6401N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6401N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6401N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6401N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6401N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6401N是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款晶体管,具体分类为FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列。这款器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和信号切换应用。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:FDC6401N常用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为功率级开关元件。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 负载开关:在便携式设备中,如智能手机、平板电脑等,FDC6401N可用作负载开关,实现对不同负载的快速、高效控制,确保系统在待机或关机状态下功耗最小化。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:FDC6401N可用于BLDC电机驱动电路中的逆变器部分,通过精确控制电流方向和幅度,实现高效的电机驱动和调速功能。 - 步进电机驱动:在精密控制场合,如3D打印机、数控机床等,FDC6401N可作为步进电机驱动电路的一部分,提供稳定的电流输出,确保电机运行平稳。 3. 信号切换与保护: - 多路复用器/解复用器:在通信和数据采集系统中,FDC6401N可以用于构建多路复用器或解复用器,实现信号的快速切换和传输路径的选择。 - 过流保护:利用其内置的限流和热关断功能,FDC6401N可以在过流或过温情况下自动切断电流路径,保护后端电路免受损坏。 4. 消费电子: - 音频放大器:在便携式音频设备中,FDC6401N可以用于音频信号的开关和放大,确保音质清晰且功耗较低。 - 充电管理系统:在电池充电电路中,FDC6401N可用于控制充电电流和电压,确保电池安全充电并延长使用寿命。 总之,FDC6401N凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和信号处理的领域,特别是在便携式电子设备、工业控制系统以及消费电子产品中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6401NPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC6401N |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
Pd-功率耗散 | 960 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 7 ns |
下降时间 | 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 324pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC6401N-ND |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 10 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A |
系列 | FDC6401N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | FDC6401N_NL |