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  • 型号: FDC6401N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDC6401N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6401N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6401N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6401N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6401N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6401N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC6401N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力等特点。它广泛应用于各种电源管理和电机驱动领域,尤其是在需要高效能和紧凑设计的场合。以下是 FDC6401N 的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   FDC6401N 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,能够快速切换电压和电流,确保电源系统的稳定性和高效性。

 2. 电机驱动
   在无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中,FDC6401N 可以作为功率级的一部分,控制电机的正向和反向旋转。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频驱动应用,能够在保证性能的同时降低发热。

 3. 负载开关
   FDC6401N 还可用于负载开关,特别是在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中。通过控制 MOSFET 的导通和关断状态,可以实现对不同负载的供电管理,延长电池寿命并提高系统的可靠性。

 4. 保护电路
   在过流保护、短路保护和过温保护电路中,FDC6401N 可以作为一个关键组件。当检测到异常情况时,MOSFET 可以迅速切断电流路径,防止系统损坏。其内置的体二极管也有助于在反向电压情况下提供额外的保护。

 5. 音频放大器
   在某些高性能音频放大器中,FDC6401N 可用于输出级,提供大电流驱动能力,确保音频信号的高质量传输。其低噪声特性和快速响应时间有助于提升音质表现。

 6. 汽车电子
   在汽车电子系统中,FDC6401N 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、LED 照明等应用。其耐高温和抗电磁干扰的能力使其适合复杂的汽车环境。

总之,FDC6401N 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域都有广泛的应用前景,特别适用于对效率、体积和成本有较高要求的产品设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6401NPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDC6401N

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.96 W

Pd-功率耗散

960 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

324pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

70 毫欧 @ 3A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FDC6401N-ND
FDC6401NTR

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

700mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

36 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A

系列

FDC6401N

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDC6401N_NL

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