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Datasheet下载- 型号： FDC638P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC638P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC638P价格参考￥询价-￥询价。Fairchild SemiconductorFDC638P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC638P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC638P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC638P是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FDC638P常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高效率。此外，它还适用于负载开关、电压调节模块（VRM）等场景。 2. 电机驱动 在电机控制领域，FDC638P可以作为驱动电路中的开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。由于其快速开关特性和低功耗，特别适合应用于小型电机驱动器、风扇控制、电动工具等领域。 3. 电池管理系统 FDC638P可用于电池保护电路中，作为充电和放电路径的开关。它可以有效地防止过充、过放以及短路等问题，确保电池的安全性和使用寿命。此外，它还可以用于电池组的均衡电路中，以延长电池的整体寿命。 4. 消费电子 在消费电子产品中，FDC638P广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源管理单元（PMU）中。它的紧凑封装和高效性能使其非常适合便携式设备，能够在有限的空间内提供可靠的电力传输和控制功能。 5. 工业自动化 在工业自动化系统中，FDC638P可以用于各种传感器接口、信号调理电路和执行器驱动电路中。它能够承受较高的工作温度范围，并且具有良好的抗干扰能力，因此在恶劣的工业环境中表现出色。 6. 通信设备 FDC638P还可应用于通信基站、路由器、交换机等设备的电源管理和信号处理电路中。其低噪声特性和高可靠性使得它在通信系统中具有广泛应用前景。 总之，FDC638P凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC638PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC638P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC638PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | FDC638P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC638P_NL |
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