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Datasheet下载- 型号： FDC638P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC638P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC638P价格参考￥询价-￥询价。Fairchild SemiconductorFDC638P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC638P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC638P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC638P是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：FDC638P常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电压调节模块（VRM）。它能够高效地进行电流切换，降低导通损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，FDC638P可以作为驱动元件，用于控制电机的启动、停止、正反转以及调速。它适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等各类电机控制系统。 3. 负载开关：在便携式电子设备如智能手机、平板电脑等中，FDC638P可用作负载开关，实现对不同负载的有效管理和保护，确保系统稳定运行。 4. 电池管理系统（BMS）：该器件可用于电池充放电管理电路中，通过精确控制电流路径来保护电池免受过充、过放及短路损害。 5. 汽车电子：在汽车电子领域，FDC638P可应用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）、空调压缩机控制器等部位，提供可靠且高效的功率传输解决方案。 6. 工业自动化：对于工业自动化设备而言，FDC638P可用于PLC输出接口、伺服驱动器等场合，满足高频率、大电流的工作需求。 7. 消费类电子产品：除了上述专业领域外，在一些家用电器如电视、音响功放等内部电路板上也能见到FDC638P的身影，为这些产品提供稳定的电力支持。 总之，凭借其低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能等特点，FDC638P成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC638PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC638P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC638PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | FDC638P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC638P_NL |
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