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Datasheet下载- 型号： FDC638APZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC638APZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC638APZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDC638APZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC638APZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC638APZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC638APZ 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电子设备中。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效功率转换和控制的应用场景。 1. 电源管理 FDC638APZ 常用于电源管理电路中，特别是在直流-直流（DC-DC）转换器、降压/升压转换器和开关电源（SMPS）中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，能够快速响应负载变化，确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，FDC638APZ 可以用作功率级的一部分，控制电机的电流和速度。它能够承受较高的电流，并且具备良好的散热性能，适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路中。通过精确的开关控制，它可以实现高效的电机调速和扭矩控制。 3. 电池管理系统 FDC638APZ 还可用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径的控制开关。它能够有效地防止过充、过放以及短路等问题，保护电池的安全性和延长使用寿命。此外，它的低导通电阻可以减少电池充放电过程中的能量损失，提升系统的整体效率。 4. 负载切换与保护 在负载切换和保护电路中，FDC638APZ 可以用作负载开关或保护开关。它能够在检测到异常情况（如过流、过温等）时迅速切断电路，防止损坏其他元器件。这种应用场景常见于消费电子产品、工业控制系统和汽车电子等领域。 5. 通信设备 在通信设备中，FDC638APZ 可用于电源模块、信号调理电路等部分。它能够提供稳定的电源输出，确保通信设备的正常工作。此外，其快速的开关特性也有助于减少电磁干扰（EMI），提升通信质量。 总之，FDC638APZ 凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择，尤其适用于对效率和性能要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC638APZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC638APZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC638APZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | FDC638APZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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