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Datasheet下载- 型号： FDC638APZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC638APZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC638APZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDC638APZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC638APZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC638APZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC638APZ 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道 MOSFET 晶体管。该型号的 FET 属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换、开关和信号处理的场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：FDC638APZ 适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）和负载点（POL）转换器。它能够高效地进行电压调节和电流控制，确保系统稳定运行。 2. 电机驱动：在电机驱动应用中，FDC638APZ 可以用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高效率，延长电池寿命。 3. 电池管理系统：该器件可用于电池保护电路中，实现过流、过压和短路保护功能。通过快速响应和高可靠性，确保电池的安全使用。 4. 消费电子设备：在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，FDC638APZ 可用于电源开关、背光驱动等场景。其小尺寸封装（SOT-23 或更小）使其非常适合空间受限的设计。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，FDC638APZ 可用于信号隔离、传感器接口和继电器驱动等应用。其坚固耐用的性能能够在恶劣环境下稳定工作。 6. 通信设备：在网络路由器、交换机和基站等通信设备中，FDC638APZ 可用于电源管理和信号切换，提供高效且可靠的性能。 7. 汽车电子：在汽车电子系统中，FDC638APZ 可用于车身控制模块、LED 照明驱动和电动助力转向系统（EPS）。其抗干扰能力强，能够在复杂电磁环境中稳定工作。 总之，FDC638APZ 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，成为众多应用领域的理想选择。无论是消费类电子产品还是工业级应用，它都能提供高效的功率管理和稳定的开关性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC638APZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC638APZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC638APZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 系列 | FDC638APZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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