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Datasheet下载- 型号： FDC634P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC634P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC634P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC634P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC634P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC634P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC634P是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适用于多种电源管理和信号切换应用。 应用场景 1. 电源管理： - FDC634P常用于直流-直流转换器（DC-DC Converter），如降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高效率。 - 在开关电源（Switching Power Supply, SMPS）中，FDC634P可以用作主开关管或同步整流管，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动： - 该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，作为功率级的一部分，控制电机的启停和转向。 - 在电动工具、家电（如风扇、冰箱压缩机）等设备中，FDC634P可以提供可靠的驱动性能。 3. 负载切换与保护： - 在需要频繁切换负载的应用中，FDC634P可以作为电子开关使用，例如在汽车电子系统中的继电器替代方案。 - 它还可以用于过流保护、短路保护等场合，通过快速响应切断故障电流，保护电路免受损坏。 4. 通信设备： - 在基站、路由器等通信设备中，FDC634P可用于电源模块，确保稳定供电并支持高效的功率分配。 - 在便携式设备如智能手机和平板电脑中，FDC634P可以用于电池管理系统（BMS），优化充电和放电过程。 5. 消费电子产品： - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，FDC634P可用于USB接口的电源管理，提供稳定的输出电压和电流。 - 在音频放大器中，FDC634P可以用于功率输出级，提供大电流驱动扬声器的能力。 总之，FDC634P凭借其优异的电气特性，广泛应用于各种需要高效功率转换和信号控制的场合，特别是在对功耗和可靠性有较高要求的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC634PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC634P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 779pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC634PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
| 系列 | FDC634P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC634P_NL |
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