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FDC6310P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6310P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6310P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6310P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.2A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6310P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6310P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6310P是由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的一款晶体管阵列,具体为MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)阵列。该型号主要应用于需要高效率、低功耗和紧凑设计的电路中,特别适合于电源管理、电机控制、信号切换等领域。 应用场景: 1. 电源管理: FDC6310P具有低导通电阻(Rds(on)),这使得它在电源开关应用中表现出色,能够有效降低功率损耗,提高电源转换效率。例如,在笔记本电脑、智能手机等便携式设备的充电电路中,它可以用于DC-DC转换器,确保高效的电压调节。 2. 电机控制: 该器件适用于小型电机驱动,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。由于其快速开关特性和低功耗特性,FDC6310P可以实现精确的速度控制和位置控制,同时减少发热,延长系统寿命。典型应用场景包括无人机、电动工具、智能家居设备中的电机驱动。 3. 负载开关: 在多通道负载切换的应用中,FDC6310P可以通过其内置的多个MOSFET通道,实现对不同负载的独立控制。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断,确保各个负载的安全可靠运行。 4. 信号切换: FDC6310P还可以用于高速信号切换电路中,如USB切换、音频信号切换等。其低电容和快速响应时间使其能够在不引入显著延迟的情况下,实现高效且稳定的信号传输。 5. 电池保护: 在电池管理系统(BMS)中,FDC6310P可以用于电池充放电路径的控制,防止过充、过放以及短路等异常情况的发生。通过精确控制电流路径,它能够有效保护电池安全,延长电池使用寿命。 总之,FDC6310P凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式,广泛应用于各种需要高效能、低功耗和高可靠性的电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6310PPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC6310P |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
Pd-功率耗散 | 960 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 337pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 2.2A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC6310PFSDKR |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 125 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | 2.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A |
系列 | FDC6310P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | FDC6310P_NL |