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Datasheet下载- 型号： FDC6303N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDC6303N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6303N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6303N价格参考￥0.89-￥1.49。Fairchild SemiconductorFDC6303N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 25V 680mA 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6303N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6303N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6303N 是由 ON Semiconductor 生产的晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。这款器件主要用于低电压、高效率的应用场景中，特别适用于需要多路开关控制和电源管理的电路设计。 应用场景： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。FDC6303N 的低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，延长电池寿命。其小型封装也适合紧凑型设计。 2. 电源管理系统 (PMIC)：在电源管理芯片中，FDC6303N 可以作为负载开关或同步整流器，用于提高转换效率，减少发热。它能够快速响应负载变化，确保系统稳定运行。 3. 电机驱动与控制：例如在无人机、电动工具和家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。FDC6303N 可以实现高效的 PWM 控制，提供精确的速度调节和扭矩控制。 4. 通信设备：如路由器、交换机和基站等网络设备。FDC6303N 的低导通电阻和快速开关速度有助于提高数据传输速率，同时减少能量损耗。 5. 工业自动化：在工厂自动化和机器人控制系统中，FDC6303N 可用于驱动传感器、执行器和其他外围设备，确保系统的高效和可靠运行。 6. 消费类电子产品：如智能音箱、可穿戴设备等。FDC6303N 的小尺寸和高效能使其成为这些产品的理想选择，帮助设计师在有限的空间内实现更多功能。 总之，FDC6303N 以其出色的电气性能和紧凑的封装，在多种应用中提供了高效的开关和电源管理解决方案，适用于对空间和功耗有严格要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6MOSFET SSOT-6 N-CH 25V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 680 mA |
| Id-连续漏极电流 | 680 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6303N- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC6303N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6303NCT |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.145 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680mA |
| 系列 | FDC6303N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC6303N_NL |
