ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDC604P
Datasheet下载- 型号： FDC604P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC604P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC604P价格参考￥0.99-￥0.99。Fairchild SemiconductorFDC604P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC604P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC604P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC604P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：FDC604P常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提高电源转换效率。它能够承受较高的电流和电压，适用于需要高效能、高可靠性的电源设计。 2. 电机驱动：在电机控制领域，FDC604P可用于驱动步进电机、无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电动机。它的快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长电机寿命，并提高系统的响应速度和精度。 3. 负载切换与保护：该器件也适用于负载切换电路，如USB端口保护、电池充电电路中的过流保护等。通过快速切断异常电流路径，防止过载或短路对系统造成损害。 4. 音频放大器：在一些高性能音频放大器设计中，FDC604P可以用作输出级元件，提供稳定的电流输出，确保音质纯净无失真。此外，其良好的线性度也有助于改善声音的表现力。 5. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中，FDC604P可作为信号调理电路的一部分，参与射频前端模块的设计，实现功率放大和匹配网络等功能。 总之，FDC604P凭借其优异的电气性能，在众多领域有着广泛的应用前景。无论是消费类电子产品还是工业自动化控制系统，都能找到它的身影。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC604PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC604P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1926pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC604PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Ta） |
| 系列 | FDC604P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC604P_NL |
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