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  • 型号: FDC365P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC365P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC365P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC365P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 35V 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT。您可以下载FDC365P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC365P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOTMOSFET -35V P-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

- 4.3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC365PPowerTrench®

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产品型号

FDC365P

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1600 mW

Pd-功率耗散

1.6 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

35 V

Vds-漏源极击穿电压

- 35 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

705pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 4.2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FDC365PCT

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

800mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

36 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

35V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Ta)

系列

FDC365P

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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