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Datasheet下载- 型号： FDC365P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC365P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC365P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC365P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 35V 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT。您可以下载FDC365P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC365P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC365P是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。这款器件在多个应用场景中表现出色，尤其适用于需要高效开关和低导通电阻的应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： FDC365P广泛应用于各种电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率，同时降低发热。 2. 电机驱动： 在电机控制领域，FDC365P可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够提供快速的开关速度和稳定的电流输出，确保电机运行平稳且高效。此外，其低导通电阻有助于减少电机驱动电路中的能量损失。 3. 电池管理系统（BMS）： 该MOSFET可以用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关。它能够有效防止过流、短路等异常情况，确保电池的安全使用。由于其低导通电阻，FDC365P在大电流充放电时仍能保持较低的温升，延长电池寿命。 4. 负载开关： 在消费电子设备中，FDC365P常被用作负载开关，用于控制不同模块的供电状态。它可以在短时间内实现快速切换，确保系统在待机或关机状态下消耗极低的电流，从而延长电池续航时间。 5. 工业自动化： 在工业控制系统中，FDC365P可用于驱动传感器、执行器等外围设备。其高可靠性和耐高温性能使其能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工厂自动化、机器人控制等领域。 6. 通信设备： 在通信基站、路由器等设备中，FDC365P可以用于电源管理和信号调理电路中，确保设备在高频率下稳定运行，并减少电磁干扰（EMI）。 总的来说，FDC365P凭借其优异的电气特性和可靠性，在电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关、工业自动化以及通信设备等多个领域有着广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOTMOSFET -35V P-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC365PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC365P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1600 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 35 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 705pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC365PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
| 系列 | FDC365P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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