图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FDC3601N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDC3601N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC3601N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC3601N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC3601N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 1A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC3601N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC3601N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC3601N 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管阵列,具体为 FET、MOSFET 阵列。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种应用场景。

 1. 电源管理
FDC3601N 常用于电源管理电路中,特别是在需要高效开关操作的场合。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以作为同步整流器的一部分,帮助提高转换效率,减少功率损耗。其低导通电阻特性使得它在高频开关应用中表现出色,能够有效降低发热,提升系统的整体性能。

 2. 电机驱动
该器件也广泛应用于电机驱动领域,尤其是小型直流电机或步进电机的控制。通过精确控制电流和电压,FDC3601N 可以实现对电机的高效驱动,确保电机运行平稳且能耗较低。此外,它的快速开关特性有助于减少电机启动时的冲击电流,延长电机寿命。

 3. 负载开关
在便携式电子设备中,FDC3601N 可用作负载开关,控制电源与负载之间的连接。它能够在短时间内迅速响应,确保设备在待机或关机状态下几乎不消耗电能,从而延长电池续航时间。同时,它还可以提供过流保护功能,防止因电流过大而损坏其他电路元件。

 4. 信号切换
FDC3601N 还适用于信号切换应用,如多路复用器或多路选择器。它可以在不同的输入信号之间快速切换,确保信号传输的准确性和稳定性。由于其低导通电阻和低电容特性,它在高速信号切换中表现出色,减少了信号失真和延迟。

 5. 消费电子
在消费电子产品中,FDC3601N 的应用也非常广泛。例如,在智能手机、平板电脑等设备中,它可以用作电源管理芯片的组成部分,帮助优化电池使用效率。此外,它还可以用于音频放大器中的开关控制,确保音质清晰且功耗低。

总之,FDC3601N 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,适用于多种应用场景,尤其在电源管理、电机驱动、负载开关和信号切换等领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC3601NPowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDC3601N

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

0.96 W

Pd-功率耗散

960 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

153pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FDC3601N-ND
FDC3601NTR

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

700mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

36 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

3.6 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A

系列

FDC3601N

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDC3601N_NL

推荐商品

型号:SI5902BDC-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PHN210,118

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI1972DH-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NDS9936

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NVMFD5489NLT3G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI5903DC-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ALD110900APAL

品牌:Advanced Linear Devices Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDC6506P

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FDC3601N 相关产品

IRF7752

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI4532CDY-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STS4DNF30L

品牌:STMicroelectronics

价格:

FDY2000PZ

品牌:ON Semiconductor

价格:¥1.21-¥1.47

IRF7504TR

品牌:Infineon Technologies

价格:¥询价-¥询价

FDC6306P

品牌:ON Semiconductor

价格:

AUIRF7379QTR

品牌:Infineon Technologies

价格:

FDML7610S

品牌:ON Semiconductor

价格: