【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_FDC3601N】封装/厂家_FDC3601N中文资料_价格

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型号： FDC3601N
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDC3601N产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC3601N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC3601N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC3601N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 100V 1A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC3601N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC3601N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	1 A
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC3601NPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDC3601N
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.96 W
Pd-功率耗散	960 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	500 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	500 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	4 ns
下降时间	4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	153pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	500 毫欧 @ 1A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-SSOT
其它名称	FDC3601N-ND FDC3601NTR
典型关闭延迟时间	11 ns
功率-最大值	700mW
包装	带卷（TR）
单位重量	36 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装/箱体	SSOT-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	3.6 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1A
系列	FDC3601N
通道模式	Enhancement
配置	Dual
零件号别名	FDC3601N_NL