【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDC2512_F095】封装/厂家_FDC2512_F095中文资料_价格

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型号： FDC2512_F095
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC2512_F095由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC2512_F095价格参考。Fairchild SemiconductorFDC2512_F095封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 150V 1.4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC2512_F095参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC2512_F095 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDC2512_F095 是 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。

 应用场景：

1. 电源管理：
   FDC2512_F095 由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，非常适合用于高效的 DC-DC 转换器和开关电源中。它能够减少传导损耗，提高电源转换效率，特别适合笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的电源管理系统。

2. 电机驱动：
   在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、家用电器等，FDC2512_F095 可以作为功率级元件，用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和低损耗有助于提高系统的响应速度和能效。

3. 电池管理系统 (BMS)：
   该 MOSFET 可用于电池保护电路中，防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻可以减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命，并确保电池的安全运行。

4. 负载开关：
   FDC2512_F095 可用于各种负载开关应用，例如在 USB 充电端口、外部设备接口等场合中，实现对负载的精确控制。其快速开关特性和低导通电阻使得它可以迅速响应负载变化，同时保持较低的功耗。

5. 通信设备：
   在基站、路由器和其他通信设备中，FDC2512_F095 可用于电源模块和信号处理电路中，提供高效且稳定的电力传输。其良好的热性能和可靠性确保了设备在长时间运行中的稳定性和安全性。

6. 汽车电子：
   该 MOSFET 还可用于汽车电子系统中，如车身控制模块、车载充电器、LED 照明驱动等。其宽工作温度范围和抗干扰能力强的特点，使其能够在严苛的汽车环境中可靠工作。

总之，FDC2512_F095 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多个领域，为各种电力电子系统提供了高效、可靠的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDC2512_F095
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	344pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	425 毫欧 @ 1.4A，10V
供应商器件封装	6-SSOT
功率-最大值	800mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.4A （Ta）