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型号： FDB8880
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDB8880产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8880由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8880价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8880封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263AB。您可以下载FDB8880参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8880 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 54A TO-263ABMOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	54 A
Id-连续漏极电流	54 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8880PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDB8880
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	55 W
Pd-功率耗散	55 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	11.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	11.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	107 ns
下降时间	51 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1240pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	29nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11.6 毫欧 @ 40A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-263AB
其它名称	FDB8880CT
典型关闭延迟时间	47 ns
功率-最大值	55W
包装	剪切带（CT）
单位重量	1.312 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	11A （Ta）， 54A （Tc）
系列	FDB8880
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDB8880_NL