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  • 型号: FDB8832
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8832由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8832价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8832封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB8832参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB8832 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKMOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8832PowerTrench®

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产品型号

FDB8832

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

73 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

265nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.9 毫欧 @ 80A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FDB8832DKR

典型关闭延迟时间

54 ns

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Ta), 80A (Tc)

系列

FDB8832

通道模式

Enhancement

配置

Single

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